FQD10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Mã sản phẩm
FQD10N20CTM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
50W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
26nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11715 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD10N20CTM
FQD10N20CTM Linh kiện điện tử
FQD10N20CTM Việc bán hàng
FQD10N20CTM Nhà cung cấp
FQD10N20CTM Nhà phân phối
FQD10N20CTM Bảng dữ liệu
FQD10N20CTM Ảnh
FQD10N20CTM Giá
FQD10N20CTM Lời đề nghị
FQD10N20CTM Giá thấp nhất
FQD10N20CTM Tìm kiếm
FQD10N20CTM Thu mua
FQD10N20CTM Chip