FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
Mã sản phẩm
FQD10N20LTM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252, (D-Pak)
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
17nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43081 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD10N20LTM
FQD10N20LTM Linh kiện điện tử
FQD10N20LTM Việc bán hàng
FQD10N20LTM Nhà cung cấp
FQD10N20LTM Nhà phân phối
FQD10N20LTM Bảng dữ liệu
FQD10N20LTM Ảnh
FQD10N20LTM Giá
FQD10N20LTM Lời đề nghị
FQD10N20LTM Giá thấp nhất
FQD10N20LTM Tìm kiếm
FQD10N20LTM Thu mua
FQD10N20LTM Chip