Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQD8P10TF

FQD8P10TF

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Mã sản phẩm
FQD8P10TF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42084 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của FQD8P10TF
FQD8P10TF Linh kiện điện tử
FQD8P10TF Việc bán hàng
FQD8P10TF Nhà cung cấp
FQD8P10TF Nhà phân phối
FQD8P10TF Bảng dữ liệu
FQD8P10TF Ảnh
FQD8P10TF Giá
FQD8P10TF Lời đề nghị
FQD8P10TF Giá thấp nhất
FQD8P10TF Tìm kiếm
FQD8P10TF Thu mua
FQD8P10TF Chip