FQD8P10TM
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Mã sản phẩm
FQD8P10TM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11427 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD8P10TM
FQD8P10TM Linh kiện điện tử
FQD8P10TM Việc bán hàng
FQD8P10TM Nhà cung cấp
FQD8P10TM Nhà phân phối
FQD8P10TM Bảng dữ liệu
FQD8P10TM Ảnh
FQD8P10TM Giá
FQD8P10TM Lời đề nghị
FQD8P10TM Giá thấp nhất
FQD8P10TM Tìm kiếm
FQD8P10TM Thu mua
FQD8P10TM Chip