FQT7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Mã sản phẩm
FQT7N10LTF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-261-4, TO-261AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-223-4
Tản điện (Tối đa)
2W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41657 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQT7N10LTF
FQT7N10LTF Linh kiện điện tử
FQT7N10LTF Việc bán hàng
FQT7N10LTF Nhà cung cấp
FQT7N10LTF Nhà phân phối
FQT7N10LTF Bảng dữ liệu
FQT7N10LTF Ảnh
FQT7N10LTF Giá
FQT7N10LTF Lời đề nghị
FQT7N10LTF Giá thấp nhất
FQT7N10LTF Tìm kiếm
FQT7N10LTF Thu mua
FQT7N10LTF Chip