FQT7N10TF
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Mã sản phẩm
FQT7N10TF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-261-4, TO-261AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
SOT-223-4
Tản điện (Tối đa)
2W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
7.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 29480 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQT7N10TF
FQT7N10TF Linh kiện điện tử
FQT7N10TF Việc bán hàng
FQT7N10TF Nhà cung cấp
FQT7N10TF Nhà phân phối
FQT7N10TF Bảng dữ liệu
FQT7N10TF Ảnh
FQT7N10TF Giá
FQT7N10TF Lời đề nghị
FQT7N10TF Giá thấp nhất
FQT7N10TF Tìm kiếm
FQT7N10TF Thu mua
FQT7N10TF Chip