Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTLJD2105LTBG
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Mã sản phẩm
NTLJD2105LTBG
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-WDFN Exposed Pad
Sức mạnh tối đa
520mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-WDFN (2x2)
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
8V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.5A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
50 mOhm @ 4A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35335 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTLJD2105LTBG
NTLJD2105LTBG Linh kiện điện tử
NTLJD2105LTBG Việc bán hàng
NTLJD2105LTBG Nhà cung cấp
NTLJD2105LTBG Nhà phân phối
NTLJD2105LTBG Bảng dữ liệu
NTLJD2105LTBG Ảnh
NTLJD2105LTBG Giá
NTLJD2105LTBG Lời đề nghị
NTLJD2105LTBG Giá thấp nhất
NTLJD2105LTBG Tìm kiếm
NTLJD2105LTBG Thu mua
NTLJD2105LTBG Chip