Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTLJD3115PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Mã sản phẩm
NTLJD3115PT1G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-WDFN Exposed Pad
Sức mạnh tối đa
710mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-WDFN (2x2)
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.3A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6.2nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
531pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23423 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G Linh kiện điện tử
NTLJD3115PT1G Việc bán hàng
NTLJD3115PT1G Nhà cung cấp
NTLJD3115PT1G Nhà phân phối
NTLJD3115PT1G Bảng dữ liệu
NTLJD3115PT1G Ảnh
NTLJD3115PT1G Giá
NTLJD3115PT1G Lời đề nghị
NTLJD3115PT1G Giá thấp nhất
NTLJD3115PT1G Tìm kiếm
NTLJD3115PT1G Thu mua
NTLJD3115PT1G Chip