Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTLJD3182FZTBG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Mã sản phẩm
NTLJD3182FZTBG
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-WDFN Exposed Pad
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-WDFN (2x2)
Tản điện (Tối đa)
710mW (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
7.8nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 20209 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTLJD3182FZTBG
NTLJD3182FZTBG Linh kiện điện tử
NTLJD3182FZTBG Việc bán hàng
NTLJD3182FZTBG Nhà cung cấp
NTLJD3182FZTBG Nhà phân phối
NTLJD3182FZTBG Bảng dữ liệu
NTLJD3182FZTBG Ảnh
NTLJD3182FZTBG Giá
NTLJD3182FZTBG Lời đề nghị
NTLJD3182FZTBG Giá thấp nhất
NTLJD3182FZTBG Tìm kiếm
NTLJD3182FZTBG Thu mua
NTLJD3182FZTBG Chip