Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NTLJS1102PTBG
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
Mã sản phẩm
NTLJS1102PTBG
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
6-WDFN Exposed Pad
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-WDFN (2x2)
Tản điện (Tối đa)
700mW (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
8V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
720mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1585pF @ 4V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.2V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±6V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10047 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NTLJS1102PTBG
NTLJS1102PTBG Linh kiện điện tử
NTLJS1102PTBG Việc bán hàng
NTLJS1102PTBG Nhà cung cấp
NTLJS1102PTBG Nhà phân phối
NTLJS1102PTBG Bảng dữ liệu
NTLJS1102PTBG Ảnh
NTLJS1102PTBG Giá
NTLJS1102PTBG Lời đề nghị
NTLJS1102PTBG Giá thấp nhất
NTLJS1102PTBG Tìm kiếm
NTLJS1102PTBG Thu mua
NTLJS1102PTBG Chip