Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3529DV-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Sức mạnh tối đa
1.4W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.5A, 1.95A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
7nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
205pF @ 20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41565 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI3529DV-T1-GE3
SI3529DV-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI3529DV-T1-GE3 Việc bán hàng
SI3529DV-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI3529DV-T1-GE3 Nhà phân phối
SI3529DV-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI3529DV-T1-GE3 Ảnh
SI3529DV-T1-GE3 Giá
SI3529DV-T1-GE3 Lời đề nghị
SI3529DV-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI3529DV-T1-GE3 Tìm kiếm
SI3529DV-T1-GE3 Thu mua
SI3529DV-T1-GE3 Chip