Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI3552DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
Mã sản phẩm
SI3552DV-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Sức mạnh tối đa
1.15W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
3.2nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48227 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3552DV-T1-E3
SI3552DV-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI3552DV-T1-E3 Việc bán hàng
SI3552DV-T1-E3 Nhà cung cấp
SI3552DV-T1-E3 Nhà phân phối
SI3552DV-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI3552DV-T1-E3 Ảnh
SI3552DV-T1-E3 Giá
SI3552DV-T1-E3 Lời đề nghị
SI3552DV-T1-E3 Giá thấp nhất
SI3552DV-T1-E3 Tìm kiếm
SI3552DV-T1-E3 Thu mua
SI3552DV-T1-E3 Chip