SI3585DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP
Mã sản phẩm
SI3585DV-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Sức mạnh tối đa
830mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
6-TSOP
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2A, 1.5A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
3.2nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 30825 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI3585DV-T1-E3
SI3585DV-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI3585DV-T1-E3 Việc bán hàng
SI3585DV-T1-E3 Nhà cung cấp
SI3585DV-T1-E3 Nhà phân phối
SI3585DV-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI3585DV-T1-E3 Ảnh
SI3585DV-T1-E3 Giá
SI3585DV-T1-E3 Lời đề nghị
SI3585DV-T1-E3 Giá thấp nhất
SI3585DV-T1-E3 Tìm kiếm
SI3585DV-T1-E3 Thu mua
SI3585DV-T1-E3 Chip