Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7601DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7601DN-T1-E3
Trạng thái một phần
Obsolete
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-50°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.6V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
27nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 12440 PCS
Từ khóa của SI7601DN-T1-E3
SI7601DN-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7601DN-T1-E3 Việc bán hàng
SI7601DN-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7601DN-T1-E3 Nhà phân phối
SI7601DN-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7601DN-T1-E3 Ảnh
SI7601DN-T1-E3 Giá
SI7601DN-T1-E3 Lời đề nghị
SI7601DN-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7601DN-T1-E3 Tìm kiếm
SI7601DN-T1-E3 Thu mua
SI7601DN-T1-E3 Chip