Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7601DN-T1-GE3

SI7601DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7601DN-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-50°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.6V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
27nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11231 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7601DN-T1-GE3
SI7601DN-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI7601DN-T1-GE3 Việc bán hàng
SI7601DN-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI7601DN-T1-GE3 Nhà phân phối
SI7601DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI7601DN-T1-GE3 Ảnh
SI7601DN-T1-GE3 Giá
SI7601DN-T1-GE3 Lời đề nghị
SI7601DN-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI7601DN-T1-GE3 Tìm kiếm
SI7601DN-T1-GE3 Thu mua
SI7601DN-T1-GE3 Chip