Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7619DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK
Mã sản phẩm
SI7619DN-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
21 mOhm @ 10.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
50nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15548 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI7619DN-T1-GE3
SI7619DN-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI7619DN-T1-GE3 Việc bán hàng
SI7619DN-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI7619DN-T1-GE3 Nhà phân phối
SI7619DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI7619DN-T1-GE3 Ảnh
SI7619DN-T1-GE3 Giá
SI7619DN-T1-GE3 Lời đề nghị
SI7619DN-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI7619DN-T1-GE3 Tìm kiếm
SI7619DN-T1-GE3 Thu mua
SI7619DN-T1-GE3 Chip