Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252
Mã sản phẩm
SIHD240N60E-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
E
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-PAK (TO-252AA)
Tản điện (Tối đa)
78W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
23nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
783pF @ 100V
VSS (Tối đa)
±30V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 25645 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIHD240N60E-GE3
SIHD240N60E-GE3 Linh kiện điện tử
SIHD240N60E-GE3 Việc bán hàng
SIHD240N60E-GE3 Nhà cung cấp
SIHD240N60E-GE3 Nhà phân phối
SIHD240N60E-GE3 Bảng dữ liệu
SIHD240N60E-GE3 Ảnh
SIHD240N60E-GE3 Giá
SIHD240N60E-GE3 Lời đề nghị
SIHD240N60E-GE3 Giá thấp nhất
SIHD240N60E-GE3 Tìm kiếm
SIHD240N60E-GE3 Thu mua
SIHD240N60E-GE3 Chip