Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Mã sản phẩm
SIHD3N50D-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-PAK (TO-252AA)
Tản điện (Tối đa)
69W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
12nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 33485 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIHD3N50D-E3
SIHD3N50D-E3 Linh kiện điện tử
SIHD3N50D-E3 Việc bán hàng
SIHD3N50D-E3 Nhà cung cấp
SIHD3N50D-E3 Nhà phân phối
SIHD3N50D-E3 Bảng dữ liệu
SIHD3N50D-E3 Ảnh
SIHD3N50D-E3 Giá
SIHD3N50D-E3 Lời đề nghị
SIHD3N50D-E3 Giá thấp nhất
SIHD3N50D-E3 Tìm kiếm
SIHD3N50D-E3 Thu mua
SIHD3N50D-E3 Chip