Mua Vishay Siliconix SIHD5N50D-GE3 MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIHD5N50D-GE3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Mã sản phẩm

SIHD5N50D-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

Trạng thái một phần

Discontinued at Digi-Key

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-252AA

Tản điện (Tối đa)

104W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

500V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

5.3A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1.5 Ohm @ 2.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

20nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 6848 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK