Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
C3M0065090D

C3M0065090D

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Mã sản phẩm
C3M0065090D
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
C3M™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247-3
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
900V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
78 mOhm @ 20A, 15V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.1V @ 5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
30.4nC @ 15V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
15V
VSS (Tối đa)
+18V, -8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43728 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của C3M0065090D
C3M0065090D Linh kiện điện tử
C3M0065090D Việc bán hàng
C3M0065090D Nhà cung cấp
C3M0065090D Nhà phân phối
C3M0065090D Bảng dữ liệu
C3M0065090D Ảnh
C3M0065090D Giá
C3M0065090D Lời đề nghị
C3M0065090D Giá thấp nhất
C3M0065090D Tìm kiếm
C3M0065090D Thu mua
C3M0065090D Chip