Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
C3M0065100J-TR
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Mã sản phẩm
C3M0065100J-TR
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
C3M™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-263-7
Tản điện (Tối đa)
113.5W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
78 mOhm @ 20A, 15V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
35nC @ 15V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
15V
VSS (Tối đa)
+15V, -4V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35016 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của C3M0065100J-TR
C3M0065100J-TR Linh kiện điện tử
C3M0065100J-TR Việc bán hàng
C3M0065100J-TR Nhà cung cấp
C3M0065100J-TR Nhà phân phối
C3M0065100J-TR Bảng dữ liệu
C3M0065100J-TR Ảnh
C3M0065100J-TR Giá
C3M0065100J-TR Lời đề nghị
C3M0065100J-TR Giá thấp nhất
C3M0065100J-TR Tìm kiếm
C3M0065100J-TR Thu mua
C3M0065100J-TR Chip