Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
C3M0065100J
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Mã sản phẩm
C3M0065100J
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
C3M™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK-7
Tản điện (Tối đa)
113.5W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
78 mOhm @ 20A, 15V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
35nC @ 15V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
15V
VSS (Tối đa)
+15V, -4V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13170 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của C3M0065100J
C3M0065100J Linh kiện điện tử
C3M0065100J Việc bán hàng
C3M0065100J Nhà cung cấp
C3M0065100J Nhà phân phối
C3M0065100J Bảng dữ liệu
C3M0065100J Ảnh
C3M0065100J Giá
C3M0065100J Lời đề nghị
C3M0065100J Giá thấp nhất
C3M0065100J Tìm kiếm
C3M0065100J Thu mua
C3M0065100J Chip