Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
C3M0120100K
MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Mã sản phẩm
C3M0120100K
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
C3M™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-4
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247-4L
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
155 mOhm @ 15A, 15V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 3mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
21.5nC @ 15V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 600V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
15V
VSS (Tối đa)
±15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 32139 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của C3M0120100K
C3M0120100K Linh kiện điện tử
C3M0120100K Việc bán hàng
C3M0120100K Nhà cung cấp
C3M0120100K Nhà phân phối
C3M0120100K Bảng dữ liệu
C3M0120100K Ảnh
C3M0120100K Giá
C3M0120100K Lời đề nghị
C3M0120100K Giá thấp nhất
C3M0120100K Tìm kiếm
C3M0120100K Thu mua
C3M0120100K Chip