Mua IXYS IXTD1R4N60P 11 MOSFET N-CH 600V

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V

Mã sản phẩm

IXTD1R4N60P 11

Nhà sản xuất/Thương hiệu

IXYS

Loạt

PolarHV™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

Die

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Die

Tản điện (Tối đa)

50W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

1.4A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

9 Ohm @ 700mA, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

5.5V @ 25µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

5.2nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 48823 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V