Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTD3N60P-2J
MOSFET N-CH 600
Mã sản phẩm
IXTD3N60P-2J
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHV™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
Die
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Die
Tản điện (Tối đa)
70W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
9.8nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
411pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 17977 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTD3N60P-2J
IXTD3N60P-2J Linh kiện điện tử
IXTD3N60P-2J Việc bán hàng
IXTD3N60P-2J Nhà cung cấp
IXTD3N60P-2J Nhà phân phối
IXTD3N60P-2J Bảng dữ liệu
IXTD3N60P-2J Ảnh
IXTD3N60P-2J Giá
IXTD3N60P-2J Lời đề nghị
IXTD3N60P-2J Giá thấp nhất
IXTD3N60P-2J Tìm kiếm
IXTD3N60P-2J Thu mua
IXTD3N60P-2J Chip