Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTD4N80P-3J

IXTD4N80P-3J

MOSFET N-CH 800
Mã sản phẩm
IXTD4N80P-3J
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHV™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
Die
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Die
Tản điện (Tối đa)
100W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
14.2nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36243 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTD4N80P-3J
IXTD4N80P-3J Linh kiện điện tử
IXTD4N80P-3J Việc bán hàng
IXTD4N80P-3J Nhà cung cấp
IXTD4N80P-3J Nhà phân phối
IXTD4N80P-3J Bảng dữ liệu
IXTD4N80P-3J Ảnh
IXTD4N80P-3J Giá
IXTD4N80P-3J Lời đề nghị
IXTD4N80P-3J Giá thấp nhất
IXTD4N80P-3J Tìm kiếm
IXTD4N80P-3J Thu mua
IXTD4N80P-3J Chip