Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
LSIC1MO120E0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO-247-3L
Mã sản phẩm
LSIC1MO120E0080
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247-3
Tản điện (Tối đa)
179W (Tc)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
100 mOhm @ 20A, 20V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 10mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
95nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1825pF @ 800V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46399 PCS
Từ khóa của LSIC1MO120E0080
LSIC1MO120E0080 Linh kiện điện tử
LSIC1MO120E0080 Việc bán hàng
LSIC1MO120E0080 Nhà cung cấp
LSIC1MO120E0080 Nhà phân phối
LSIC1MO120E0080 Bảng dữ liệu
LSIC1MO120E0080 Ảnh
LSIC1MO120E0080 Giá
LSIC1MO120E0080 Lời đề nghị
LSIC1MO120E0080 Giá thấp nhất
LSIC1MO120E0080 Tìm kiếm
LSIC1MO120E0080 Thu mua
LSIC1MO120E0080 Chip