Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
LSIC1MO120E0160
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
Mã sản phẩm
LSIC1MO120E0160
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247-3
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
200 mOhm @ 10A, 20V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
57nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 800V
VSS (Tối đa)
+22V, -6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35988 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160 Linh kiện điện tử
LSIC1MO120E0160 Việc bán hàng
LSIC1MO120E0160 Nhà cung cấp
LSIC1MO120E0160 Nhà phân phối
LSIC1MO120E0160 Bảng dữ liệu
LSIC1MO120E0160 Ảnh
LSIC1MO120E0160 Giá
LSIC1MO120E0160 Lời đề nghị
LSIC1MO120E0160 Giá thấp nhất
LSIC1MO120E0160 Tìm kiếm
LSIC1MO120E0160 Thu mua
LSIC1MO120E0160 Chip