Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
LSIC1MO120E0120
SIC MOSFET 1200V 27A TO247-3
Mã sản phẩm
LSIC1MO120E0120
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
SiCFET (Silicon Carbide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247-3
Tản điện (Tối đa)
139W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
150 mOhm @ 14A, 20V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 7mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
80nC @ 20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1125pF @ 800V
VSS (Tối đa)
+22V, -6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 51887 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của LSIC1MO120E0120
LSIC1MO120E0120 Linh kiện điện tử
LSIC1MO120E0120 Việc bán hàng
LSIC1MO120E0120 Nhà cung cấp
LSIC1MO120E0120 Nhà phân phối
LSIC1MO120E0120 Bảng dữ liệu
LSIC1MO120E0120 Ảnh
LSIC1MO120E0120 Giá
LSIC1MO120E0120 Lời đề nghị
LSIC1MO120E0120 Giá thấp nhất
LSIC1MO120E0120 Tìm kiếm
LSIC1MO120E0120 Thu mua
LSIC1MO120E0120 Chip