Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQD7N10LTF

FQD7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Mã sản phẩm
FQD7N10LTF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54180 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của FQD7N10LTF
FQD7N10LTF Linh kiện điện tử
FQD7N10LTF Việc bán hàng
FQD7N10LTF Nhà cung cấp
FQD7N10LTF Nhà phân phối
FQD7N10LTF Bảng dữ liệu
FQD7N10LTF Ảnh
FQD7N10LTF Giá
FQD7N10LTF Lời đề nghị
FQD7N10LTF Giá thấp nhất
FQD7N10LTF Tìm kiếm
FQD7N10LTF Thu mua
FQD7N10LTF Chip