FQD7N10LTM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Mã sản phẩm
FQD7N10LTM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35060 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD7N10LTM
FQD7N10LTM Linh kiện điện tử
FQD7N10LTM Việc bán hàng
FQD7N10LTM Nhà cung cấp
FQD7N10LTM Nhà phân phối
FQD7N10LTM Bảng dữ liệu
FQD7N10LTM Ảnh
FQD7N10LTM Giá
FQD7N10LTM Lời đề nghị
FQD7N10LTM Giá thấp nhất
FQD7N10LTM Tìm kiếm
FQD7N10LTM Thu mua
FQD7N10LTM Chip