Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FQD7N10TM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Mã sản phẩm
FQD7N10TM
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
QFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D-Pak
Tản điện (Tối đa)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
7.5nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 32773 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của FQD7N10TM
FQD7N10TM Linh kiện điện tử
FQD7N10TM Việc bán hàng
FQD7N10TM Nhà cung cấp
FQD7N10TM Nhà phân phối
FQD7N10TM Bảng dữ liệu
FQD7N10TM Ảnh
FQD7N10TM Giá
FQD7N10TM Lời đề nghị
FQD7N10TM Giá thấp nhất
FQD7N10TM Tìm kiếm
FQD7N10TM Thu mua
FQD7N10TM Chip