Mua Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI7900AEDN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

Mã sản phẩm

SI7900AEDN-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® 1212-8 Dual

Sức mạnh tối đa

1.5W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® 1212-8 Dual

Loại FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

26 mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

900mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

16nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 27144 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8