Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7904BDN-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8 Dual
Sức mạnh tối đa
17.8W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8 Dual
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
30 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
24nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 6713 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7904BDN-T1-E3
SI7904BDN-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7904BDN-T1-E3 Việc bán hàng
SI7904BDN-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7904BDN-T1-E3 Nhà phân phối
SI7904BDN-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7904BDN-T1-E3 Ảnh
SI7904BDN-T1-E3 Giá
SI7904BDN-T1-E3 Lời đề nghị
SI7904BDN-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7904BDN-T1-E3 Tìm kiếm
SI7904BDN-T1-E3 Thu mua
SI7904BDN-T1-E3 Chip