Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7901EDN-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8 Dual
Sức mạnh tối đa
1.3W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8 Dual
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.3A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 800µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11497 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7901EDN-T1-GE3
SI7901EDN-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI7901EDN-T1-GE3 Việc bán hàng
SI7901EDN-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI7901EDN-T1-GE3 Nhà phân phối
SI7901EDN-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI7901EDN-T1-GE3 Ảnh
SI7901EDN-T1-GE3 Giá
SI7901EDN-T1-GE3 Lời đề nghị
SI7901EDN-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI7901EDN-T1-GE3 Tìm kiếm
SI7901EDN-T1-GE3 Thu mua
SI7901EDN-T1-GE3 Chip