Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7911DN-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7911DN-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8 Dual
Sức mạnh tối đa
1.3W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8 Dual
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.2A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
15nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 6041 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI7911DN-T1-E3
SI7911DN-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7911DN-T1-E3 Việc bán hàng
SI7911DN-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7911DN-T1-E3 Nhà phân phối
SI7911DN-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7911DN-T1-E3 Ảnh
SI7911DN-T1-E3 Giá
SI7911DN-T1-E3 Lời đề nghị
SI7911DN-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7911DN-T1-E3 Tìm kiếm
SI7911DN-T1-E3 Thu mua
SI7911DN-T1-E3 Chip