Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SI7945DP-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8 Dual
Sức mạnh tối đa
1.4W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8 Dual
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
7A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
20 mOhm @ 10.9A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
74nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 34743 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7945DP-T1-E3
SI7945DP-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7945DP-T1-E3 Việc bán hàng
SI7945DP-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7945DP-T1-E3 Nhà phân phối
SI7945DP-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7945DP-T1-E3 Ảnh
SI7945DP-T1-E3 Giá
SI7945DP-T1-E3 Lời đề nghị
SI7945DP-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7945DP-T1-E3 Tìm kiếm
SI7945DP-T1-E3 Thu mua
SI7945DP-T1-E3 Chip