Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7949DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SI7949DP-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8 Dual
Sức mạnh tối đa
1.5W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8 Dual
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.2A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
64 mOhm @ 5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
40nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36479 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI7949DP-T1-E3
SI7949DP-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7949DP-T1-E3 Việc bán hàng
SI7949DP-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7949DP-T1-E3 Nhà phân phối
SI7949DP-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7949DP-T1-E3 Ảnh
SI7949DP-T1-E3 Giá
SI7949DP-T1-E3 Lời đề nghị
SI7949DP-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7949DP-T1-E3 Tìm kiếm
SI7949DP-T1-E3 Thu mua
SI7949DP-T1-E3 Chip